3f10194cee2a41cfe8b8f6938677eb57

NGD18N40ACLBT4G, БТИЗ транзистор, 18 А, 1.8 В, 115 Вт

Поставка электронных компонентов в Ростов-на-Дону

180,00 руб.

x 180,00 = 180,00
Сроки поставки выбранного компонента в Ростов-на-Дону уточняйте у нашего менеджера
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №110-12 дней180,00руб.167,40руб.162,00руб.158,40руб.153,00руб.144,00руб.140,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №25-7 дней338,40руб.311,40руб.306,00руб.298,80руб.288,00руб.271,80руб.264,60руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №35-7 дней343,80руб.316,80руб.309,60руб.302,40руб.288,00руб.273,60руб.268,20руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №410 дней216,00руб.198,00руб.194,40руб.189,00руб.183,60руб.172,80руб.167,40руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №57 дней313,20руб.288,00руб.280,80руб.275,40руб.266,40руб.250,20руб.243,00руб.
НаличиеСрок1шт20шт50шт100шт1000шт5000шт10000шт
Склад №610-12 дней196,20руб.181,80руб.176,40руб.172,80руб.167,40руб.156,60руб.153,00руб.

Характеристики

NGD18N40ACLBT4G, БТИЗ транзистор, 18 А, 1.8 В, 115 Вт The NGD18N40ACLBT4G is a 400V N-channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) designed for use in ignition, direct fuel injection or wherever high voltage and high current switching is required. The logic level IGBT features monolithic circuitry integrating ESD and overvoltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications.

• Ideal for coil on plug applications
• Gate-emitter ESD protection
• Temperature compensated gate-collector voltage clamp limits stress applied to load
• Integrated ESD diode protection
• New design increases unclamped inductive switching (UIS) energy per area
• Low threshold voltage interfaces power loads to logic or microprocessor devices
• Low saturation voltage
• High pulsed current capability
• Emitter ballasting for short-circuit capability

Полупроводники — ДискретныеТранзисторыБТИЗ Одиночные

Дополнительная информация

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

3вывод(-ов)

Напряжение Коллектор-Эмиттер

400В

Стандарт Корпуса Транзистора

TO-252

Рассеиваемая Мощность

115Вт

DC Ток Коллектора

18А