Первая в мире 300-миллиметровая технология GaN-мощности меняет правила игры в отрасли

Infineon Technologies AG преуспела в разработке первой в мире технологии 300-миллиметровых пластин GaN. Утверждается, что это первая компания в мире, освоившая эту новаторскую технологию в существующей и масштабируемой среде массового производства. Прорыв поможет существенно стимулировать рынок силовых полупроводников на основе GaN. Производство чипов на 300-миллиметровых пластинах технологически более продвинуто и чрезвычайно эффективно по сравнению с 200-миллиметровыми пластинами, поскольку больший диаметр пластины вмещает в 2,3 раза больше чипов на пластину.

Силовые полупроводники на основе GaN быстро находят применение в промышленных, автомобильных и потребительских, вычислительных и коммуникационных приложениях, включая источники питания для систем искусственного интеллекта, солнечных инверторов, зарядных устройств и адаптеров, а также систем управления двигателями. Современные процессы производства GaN повышают производительность устройств, что приводит к преимуществам в приложениях конечных потребителей, поскольку они обеспечивают эффективную производительность, меньший размер, меньший вес и более низкую общую стоимость. Кроме того, производство 300 мм обеспечивает превосходную стабильность поставок для клиентов за счет масштабируемости.

«Этот выдающийся успех является результатом нашей инновационной силы и самоотверженной работы нашей глобальной команды, чтобы продемонстрировать нашу позицию лидера инноваций в области GaN и систем питания», — сказал Йохен Ханебек, генеральный директор Infineon Technologies AG. «Технологический прорыв изменит правила игры в отрасли и позволит нам раскрыть весь потенциал нитрида галлия. Спустя почти год после приобретения GaN Systems мы снова демонстрируем, что полны решимости стать лидером на быстрорастущем рынке GaN. Будучи лидером в области систем питания, Infineon осваивает все три соответствующих материала: кремний, карбид кремния и нитрид галлия».

Компания преуспела в производстве 300-мм пластин GaN на интегрированной пилотной линии на своей фабрике по производству электроэнергии, которая уже производит 300-мм кремний. Компания использует хорошо зарекомендовавшие себя компетенции в существующем производстве 300-мм кремния и 200-мм GaN. Она будет и дальше масштабировать мощности GaN в соответствии с потребностями рынка. Производство 300-мм GaN позволит ей формировать растущий рынок GaN.

Этот новаторский технологический успех подчеркивает позицию компании как мирового лидера в области полупроводников в системах питания и IoT. Компания внедряет 300-мм GaN для укрепления существующих и создания новых решений и областей применения с более экономически эффективным ценностным предложением и способностью охватывать весь спектр систем клиентов. Она представит первые 300-мм пластины GaN публике на выставке electronica в ноябре 2024 года.

Заметным преимуществом технологии GaN 300 мм является то, что она может использовать существующее оборудование для производства кремния 300 мм, поскольку GaN и кремний очень похожи в производственных процессах. Ее существующие линии по производству кремния 300 мм в больших объемах идеально подходят для пилотирования надежной технологии GaN, позволяя ускорить внедрение и эффективно использовать капитал. Полномасштабное производство GaN 300 мм будет способствовать паритету стоимости GaN с кремнием на уровне R DS(on), что означает паритет стоимости для сопоставимых продуктов Si и GaN.

300-миллиметровый GaN-диод — это еще одна веха в стратегическом инновационном лидерстве компании, которая поддерживает ее миссию по декарбонизации и цифровизации.