Личный кабинет
Navitas Semiconductor представит несколько прорывов на выставке electronica 2024. В соответствии с миссией «Электрифицировать наш мир», стенд «Planet Navitas» приглашает посетителей узнать, как технологии GaN и SiC следующего поколения позволяют создавать новейшие решения для центров обработки данных ИИ, электротранспорта, возобновляемой энергии, промышленных приводов и бытовой техники. Каждый пример подчеркивает преимущества для конечного пользователя, такие как более высокая плотность мощности, повышенная эффективность, больший запас хода, более быстрая зарядка, портативность и независимость от сети, а также акцент на том, как низкоуглеродные технологии GaN и SiC могут сэкономить более 6 Гтонн CO2 в год к 2050 году.
Среди основных технологических обновлений — первый в мире блок питания мощностью 8,5 кВт для центров искусственного интеллекта и гипермасштабируемых центров обработки данных, использующий мощные силовые ИС GaNSafe и быстрые SiC MOSFET-транзисторы третьего поколения.
Благодаря более чем 20 годам инноваций SiC, технология GeneSiC обеспечивает ведущую в мире производительность в зависимости от температуры, обеспечивая холодную работу, быстрое переключение SiC MOSFET для поддержки в 3 раза более мощных центров обработки данных AI и более быстрой зарядки электромобилей. Gen-3 Fast GeneSiC MOSFET разработаны с использованием запатентованной технологии «trench-assisted planar», предлагая ведущую производительность, обеспечивая при этом превосходную надежность, технологичность и стоимость по сравнению с конкурентами. Gen-3 Fast MOSFET обеспечивают высокую эффективность с высокоскоростной производительностью, позволяя снизить температуру корпуса до 25 °C и увеличить срок службы до 3 раз по сравнению с продуктами SiC от других поставщиков.
Также на выставке будут представлены новейшие разработки компании — интегральные схемы GaNSense Motor Drives для бытовой и промышленной техники, двунаправленный демонстрационный образец GaN на 650 В для решений нового поколения с высочайшей эффективностью и плотностью мощности, а также недавно выпущенные модули SiCPAK для рынков высокой мощности, таких как электросети, возобновляемые источники энергии, зарядка электромобилей и ИБП.
Лью Воган-Эдмундс из компании примет участие в панельной дискуссии EETimes «Технологии SiC и GaN – исследование достижений, решение проблем» 12 ноября в 14:20 по местному времени. В ходе дебатов будут рассмотрены недавние и предстоящие достижения, которые увеличат долю технологий с широкими запрещенными зонами на рынке устаревших кремниевых силовых ИС.
Посетите компанию на выставке electronica 2024, зал C3, стенд № 129, с 12 по 15 ноября.
Загрузка