Характеристики
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
КорпусSEMIX2S
SEMIX202GB12VS, Модуль Силовой: semix202gb12vs
Поставки электронных компонентов в Ростов-на-Дону
10.500,00 руб.
Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 50шт | 100шт | 1000шт | 3000шт |
Склад №1 | 10-12 дней | 10.500,00руб. | 9.765,00руб. | 9.240,00руб. | 8.925,00руб. | 8.610,00руб. | 8.452,50руб. |
Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 50шт | 100шт | 1000шт | 3000шт |
Склад №2 | 7-10 дней | 11.865,00руб. | 10.710,00руб. | 10.500,00руб. | 10.080,00руб. | 9.765,00руб. | 9.555,00руб. |
Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 50шт | 100шт | 1000шт | 3000шт |
Склад №3 | 7-10 дней | 12.810,00руб. | 11.550,00руб. | 11.235,00руб. | 10.920,00руб. | 10.290,00руб. | 9.660,00руб. |
Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 50шт | 100шт | 1000шт | 3000шт |
Склад №4 | 7-10 дней | 12.495,00руб. | 11.235,00руб. | 11.025,00руб. | 10.605,00руб. | 10.185,00руб. | 9.607,50руб. |
Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 50шт | 100шт | 1000шт | 3000шт |
Склад №5 | 5 дней | 17.850,00руб. | 16.065,00руб. | 15.750,00руб. | 15.120,00руб. | 14.595,00руб. | 13.335,00руб. |
Наличие | Срок | 1шт | 10шт | 50шт | 100шт | 1000шт | 3000шт |
Склад №6 | 6 дней | 17.745,00руб. | 15.960,00руб. | 15.624,00руб. | 15.015,00руб. | 14.490,00руб. | 13.230,00руб. |
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
КорпусSEMIX2S
SEMIX202GB12VS, Модуль Силовой: semix202gb12vs
Макс.напр.к-э,В | — |
---|---|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | — |
Номинальный ток одиночного тр-ра,А | — |
Структура модуля | — |
Тип силового модуля | — |
Максимальная частота модуляции,кГц | — |
Входная емкость затвора,нФ | — |
Мощность привода, кВт | — |
Драйвер управления | — |
Защита по току | — |
Защита от короткого замыкания | — |
Защита от перегрева | — |
Защита от пониженного напряжения питания | — |
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | — |
Максимальный ток эмиттера, А | — |
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | — |
Напряжение эмиттер-коллектор,В | — |
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | — |
Напряжение изоляции, В | — |
Температурный диапазон,С | — |